找到相关结果约80条 用时0.203秒
所有结果
标题
正文
 
时间不限
1天内
1周内
1个月内
 
按相关度排序
按时间排序
率先让部分机器人“瓦力”起来
用需求。频繁的数据搬运导致的算力瓶颈以及功耗瓶颈已经成为对更先进算法探索的限制因素。类似于脑神经结构的存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体,能显著减少数据搬运,极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化在硬件架构方面的革新,将突破AI算力瓶颈...
https://www.dzwww.com/xinwen/jishixinwen/202001/t20200103_19544893.htm 2020-01-03

达摩院2020十大科技趋势发布:科技浪潮新十年序幕开启
用需求。频繁的数据搬运导致的算力瓶颈以及功耗瓶颈已经成为对更先进算法探索的限制因素。类似于脑神经结构的存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体,能显著减少数据搬运,极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化在硬件架构方面的革新,将突破AI算力瓶颈...
https://www.dzwww.com/xinwen/jishixinwen/202001/t20200102_19543038.htm 2020-01-02

达摩院2020十大科技趋势发布:科技浪潮新十年序幕开启
用需求。频繁的数据搬运导致的算力瓶颈以及功耗瓶颈已经成为对更先进算法探索的限制因素。类似于脑神经结构的存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体,能显著减少数据搬运,极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化在硬件架构方面的革新,将突破AI算力瓶颈...
https://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/202001/t20200102_19543034.htm 2020-01-02

达摩院2020十大科技趋势发布:科技浪潮新十年序幕开启
用需求。频繁的数据搬运导致的算力瓶颈以及功耗瓶颈已经成为对更先进算法探索的限制因素。类似于脑神经结构的存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体,能显著减少数据搬运,极大提高计算并行度和能效。计算存储一体化在硬件架构方面的革新,将突破AI算力瓶颈...
https://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/202001/t20200102_19543029.htm 2020-01-02

家电厂商研发芯片,意在布局智能家居
经无法满足一些高实时性、高智能化场景中计算的需求,高性能的人工智能芯片成为支持这些场景的重要工具。 和需要大量空间去放置存储单元和控制单元而计算单元很少的CPU相比,人工智能芯片具有大量的计算单元,非常适合大规模并行计算的需求。奥维云网董事长文建平也认...
http://elec.dzwww.com/ttxw/201910/t20191008_19231724.htm 2019-10-08

红海行动!中国芯片帝国出征
那么大,不过如果按照传统的模式,长江存储即便64层产品做出来了也无法与三星等巨头抗衡。 3D NAND Flash芯片主要由两部分组成,存储单元和外围电路。 通常,厂家会在同一块晶圆上加工芯片的这两个组成部分,两者相邻而立。在加工存储单元的时候会产生高温和高压,为了...
https://www.dzwww.com/2019/arf/hydt/201908/t20190812_19052803.htm 2019-08-12

科学家发现电子世界“交通新规”
是一部电影。 韩拯表示,二维极限下碲化镓纳米电子器件展示出了门电压可调的、面内巨各向异性电阻效应,为实现新型的逻辑运算及存储单元提供了新思路,发展前景广阔。同时,碲化镓也还可能有更多待发现的物理。“我们正在挖掘该体系一些有趣的低温物理特性。”<SCRIPT...
https://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201906/t20190617_18836668.htm 2019-06-17

科学家发现电子世界“交通新规”
是一部电影。 韩拯表示,二维极限下碲化镓纳米电子器件展示出了门电压可调的、面内巨各向异性电阻效应,为实现新型的逻辑运算及存储单元提供了新思路,发展前景广阔。同时,碲化镓也还可能有更多待发现的物理。“我们正在挖掘该体系一些有趣的低温物理特性。”window....
https://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201906/t20190617_18836647.htm 2019-06-17

改革2018
高的区域。在这里,基于3D NAND FLASH,也就是“三维存储”技术的芯片,是公司最核心的产品。 陈俊:我们把一个平面的,2D的这个存储单元我们把它向纵向发展,单位面积内,我们可以形成更多的存储单元。 业内预计,不出三年,基于3D NAND技术打造的产品,就将占据存储...
https://www.dzwww.com/xinwen/guoneixinwen/201901/t20190103_18253713.htm 2019-01-03

中韩科研人员联手在新一代数据储存研究中获得突破进展
并且能被极低功率的自旋极化电流所驱动。由于这些引人注目的特性,磁性斯格明子被普遍认为可能成为下一代磁存储器件中的理想数据存储单元。 来自韩国关联电子系统研究中心的Noh等人制备出一种氧化物薄膜,通过霍尔测量可以预测系统中可能存在有斯格明子。为了验证这一...
https://www.dzwww.com/xinwen/guoneixinwen/201811/t20181129_18124335.htm 2018-11-29

1 2 3 4 5 6 7 8 下一页 尾页