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电子技术引起的“第一次电子革命”，让信息时代随之而来。80年代出现了VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管），但其导通电阻较高。经过多年试验，经过多年试验，陈星弼他通过改变功率管的结构，发明复合缓冲耐压结构，现称为超结器件。超结器件因其导通电阻...
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https://www.dzwww.com/xinwen/jishixinwen/201912/t20191226_19517214.htm
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2019-12-26
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电子技术引起的“第一次电子革命”，让信息时代随之而来。80年代出现了VDMOS（垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管），但其导通电阻较高。经过多年试验，经过多年试验，陈星弼他通过改变功率管的结构，发明复合缓冲耐压结构，现称为超结器件。超结器件因其导通电阻...
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https://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201912/t20191226_19517182.htm
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2019-12-26
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00型8英寸AlGaN／GaN－on－Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称...
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https://sd.dzwww.com/sdnews/201909/t20190911_19165812.htm
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2019-09-11
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点电压，进而降低开关损耗，这是TI独到的优势。 此外，UCC28780还支持氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步降低输出电容和导通电阻，缩减适配器尺寸。据了解，采用了GaN场效应晶体管的有源钳位反激式电路的转换效率高达94%-95%，大约比普通的硅基场效应晶体管提升...
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http://dzxf.dzwww.com/gdxw/201807/t20180709_17582796.htm
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2018-07-09
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的核心技术——芯片是由碳化硅或氮化镓材料的晶圆经过光刻、离子注入等工艺后制作出来的。制作出的芯片只有几毫米见方、具备极低导通电阻和快速开关能力。”崔京京强调，“芯片中的关键结构最小尺寸只有几微米，对空气中的颗粒污染非常敏感，所以生产制造必须在超净无...
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https://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201803/t20180316_17157541.htm
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2018-03-16
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重要的作用。良好的变电站接地网系统，是保证变电设备的金属外壳、互感器末屏、避雷器低压侧等装置有效接地的重要前提。当接地体导通电阻过高甚至出现焊接断裂时，将造成防雷失效、线路跳闸、变电设备烧毁等严重后果，直接威胁电网的安全运行。随着变电站运行年限的增...
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http://sd.dzwww.com/sdgd/txyxw/201505/t20150506_12341732.htm
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2015-05-06
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