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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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https://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201910/t20191008_19233801.htm
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2019-10-08
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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https://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201910/t20191008_19233797.htm
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2019-10-08
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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https://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201910/t20191008_19233800.htm
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2019-10-08
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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https://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201810/t20181002_17908356.htm
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2018-10-02
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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http://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201710/t20171004_16502311.htm
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2017-10-04
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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http://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201710/t20171004_16501816.htm
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2017-10-04
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乔治•史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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http://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201710/t20171003_16501345.htm
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2017-10-03
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和乔治·史密斯。高锟在“有关光在纤维中的传输以用于光学通信方面”取得了突破性成就。博伊尔和史密斯发明了半导体成像器件——电荷耦合器件(CCD)图像传感器。 2008年，诺贝尔物理学奖被授予美国科学家南部阳一郎和两位日本科学家小林诚、利川敏英。南部阳一郎因为发现次...
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http://www.dzwww.com/xinwen/guojixinwen/201710/t20171003_16501331.htm
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2017-10-03
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处理流程复杂，与此同时国外比较先进的探测器件还对我国禁运。 记者了解到，刘博研究员课题组的新方法，采用高灵敏度的电子倍增电荷耦合器件作为面阵探测器，利用双通道高速电光偏振调制技术，结合自适应距离选通实现三维成像，突破了传统扫描成像激光雷达无法对远距离动态...
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http://www.dzwww.com/xinwen/guoneixinwen/201605/t20160506_14254467.htm
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2016-05-06
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通过减小像素尺寸来提高数字图像传感器的分辨率，一直是困扰科学家们的难题。当前，数字图像传感器CCD(Charge-coupled Device，电荷耦合器件)和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)的最小像素尺寸分别是1.43微米和1.12微米。由于受半导体...
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http://www.dzwww.com/xinwen/shehuixinwen/201512/t20151201_13427333.htm
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2015-12-01
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